Intel готова представить флагманский 10-нм чип с частотой 3,5 ГГц и содержащий 100 млн транзисторов. Аналогичный процессор от Samsung содержит вдвое меньшее число транзисторов при одинаковом уровне энергопотребления в 0,25 мВт/МГц.Второй процессор выполнен по 22-нм технологическому процессу FinFET и будет на 30% более энергоэффективным относительно 28-нм чипов других производителей.Изготовление новинок для других OEM-производителей начнется до конца 2017 года.
Intel сообщила о планах по производству ARM-процессоров
16:43 06 ноября 2017
Intel на конференции ARM Tech Con 2017 сообщила о своих планах по производству мобильных процессоров на архитектуре ARM, что предусмотрено объявленным в прошлом году партнёрством Intel и ARM. На данный момент уже доступна информация о двух новых разработках. 
Intel готова представить флагманский 10-нм чип с частотой 3,5 ГГц и содержащий 100 млн транзисторов. Аналогичный процессор от Samsung содержит вдвое меньшее число транзисторов при одинаковом уровне энергопотребления в 0,25 мВт/МГц.Второй процессор выполнен по 22-нм технологическому процессу FinFET и будет на 30% более энергоэффективным относительно 28-нм чипов других производителей.Изготовление новинок для других OEM-производителей начнется до конца 2017 года.
Intel готова представить флагманский 10-нм чип с частотой 3,5 ГГц и содержащий 100 млн транзисторов. Аналогичный процессор от Samsung содержит вдвое меньшее число транзисторов при одинаковом уровне энергопотребления в 0,25 мВт/МГц.Второй процессор выполнен по 22-нм технологическому процессу FinFET и будет на 30% более энергоэффективным относительно 28-нм чипов других производителей.Изготовление новинок для других OEM-производителей начнется до конца 2017 года.
Источник:
Пока комментариев к статье нет, но вы можете стать первым.
Написать комментарий:
Напишите ответ :
Комментарии (0)