Компания Samsung Electronics начала массовое производство первой в отрасли памяти eUFS 3.1 объёмом 512 ГБ. Новая флеш-память будет использоваться во флагманских смартфонах, планшетах и других мобильных устройствах.
Как утверждает производитель, память eUFS 3.1 обеспечит в три раза большую скорость записи по сравнению с предыдущей мобильной памятью eUFS 3.0 объемом 512 ГБ. При максимальной скорости последовательной записи в 1200 МБ/с eUFS 3.1 вдвое быстрее, чем ПК на базе SATA (540 МБ/с), и в десять раз быстрее, чем карта microSD UHS-I (90 МБ/с). С таким быстрым хранилищем пользователи могут записывать на свои смартфоны массивные файлы, такие как 8K-видео, без буферизации.Перенос содержимого со старого смартфона на новое устройство также потребует меньше времени. Для устройств с новой eUFS 3.1 потребуется всего 1,5 минуты для перемещения 100 ГБ, тогда как для смартфона на основе памяти eUFS 3.0 на это уйдёт более 4 минут.
Что касается произвольной производительности, eUFS 3.1 объемом 512 ГБ обрабатывает информацию на 60% быстрее, чем UFS 3.0, предлагая 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS – для записи. Скорость последовательного чтения, по сравнению с eUFS 3.0, не изменилась – она составляет 2100 МБ/c.Помимо флеш-памяти eUFS 3.1 на 512 ГБ, также будут доступны варианты с ёмкостью 128 ГБ и 256 ГБ. Первые смартфоны на базе новой памяти появятся в конце нынешнего года.
Как утверждает производитель, память eUFS 3.1 обеспечит в три раза большую скорость записи по сравнению с предыдущей мобильной памятью eUFS 3.0 объемом 512 ГБ. При максимальной скорости последовательной записи в 1200 МБ/с eUFS 3.1 вдвое быстрее, чем ПК на базе SATA (540 МБ/с), и в десять раз быстрее, чем карта microSD UHS-I (90 МБ/с). С таким быстрым хранилищем пользователи могут записывать на свои смартфоны массивные файлы, такие как 8K-видео, без буферизации.Перенос содержимого со старого смартфона на новое устройство также потребует меньше времени. Для устройств с новой eUFS 3.1 потребуется всего 1,5 минуты для перемещения 100 ГБ, тогда как для смартфона на основе памяти eUFS 3.0 на это уйдёт более 4 минут. 
Что касается произвольной производительности, eUFS 3.1 объемом 512 ГБ обрабатывает информацию на 60% быстрее, чем UFS 3.0, предлагая 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS – для записи. Скорость последовательного чтения, по сравнению с eUFS 3.0, не изменилась – она составляет 2100 МБ/c.Помимо флеш-памяти eUFS 3.1 на 512 ГБ, также будут доступны варианты с ёмкостью 128 ГБ и 256 ГБ. Первые смартфоны на базе новой памяти появятся в конце нынешнего года.
Комментарии (0)