UFS-память ориентирована на мобильные устройства и характеризуется высокой производительностью и низким энергопотреблением. Новый стандарт UFS 3.0 получит увеличенную в 2 раза скорость передачи данных относительно UFS 2.1.UFS 3.0 поддерживает MIPI M-PHY HS-Gear4, что позволяет достигать скорости 11,6 ГБит/с, большее количество разделов, а также новейшие технологии NAND. Напряжение UFS 3.0 составляет 2,5 В, что увеличивает энергоэффективность нового стандарта, а диапазон рабочих температур варьируется от -40 °C до +105 °C.Samsung уже сообщила о выпуске устройств с UFS 3.0 в I квартале 2018 года.
Память стандарта UFS 3.0 будет вдвое быстрее прошлого поколения
10:38 01 февраля 2018
Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции заверил технические характеристики памяти стандарта Universal Flash Storage 3.0. и флеш-карточек UFS 1.1. 
UFS-память ориентирована на мобильные устройства и характеризуется высокой производительностью и низким энергопотреблением. Новый стандарт UFS 3.0 получит увеличенную в 2 раза скорость передачи данных относительно UFS 2.1.UFS 3.0 поддерживает MIPI M-PHY HS-Gear4, что позволяет достигать скорости 11,6 ГБит/с, большее количество разделов, а также новейшие технологии NAND. Напряжение UFS 3.0 составляет 2,5 В, что увеличивает энергоэффективность нового стандарта, а диапазон рабочих температур варьируется от -40 °C до +105 °C.Samsung уже сообщила о выпуске устройств с UFS 3.0 в I квартале 2018 года.
UFS-память ориентирована на мобильные устройства и характеризуется высокой производительностью и низким энергопотреблением. Новый стандарт UFS 3.0 получит увеличенную в 2 раза скорость передачи данных относительно UFS 2.1.UFS 3.0 поддерживает MIPI M-PHY HS-Gear4, что позволяет достигать скорости 11,6 ГБит/с, большее количество разделов, а также новейшие технологии NAND. Напряжение UFS 3.0 составляет 2,5 В, что увеличивает энергоэффективность нового стандарта, а диапазон рабочих температур варьируется от -40 °C до +105 °C.Samsung уже сообщила о выпуске устройств с UFS 3.0 в I квартале 2018 года.
Источник:
Пока комментариев к статье нет, но вы можете стать первым.
Написать комментарий:
Напишите ответ :
Комментарии (0)