Компания Samsung объявила о начале массового производства встроенного чипа Universal Flash Storage (UFS 2.1) или eUFS ёмкостью до 1 ТБ. Чип предоставит владельцам смартфонов «ёмкость, сопоставимую с ноутбуком премиум-класса».
Чип eUFS ёмкостью 1 ТБ имеет тот же размер (11,5×13 мм), что и версия на 512 ГБ, выпущенная в 2017 году. Чип сочетает в себе 16 стековых слоев 512-гигабитной флэш-памяти V-NAND с новым фирменным контроллером. Это позволит сохранить на смартфоне с такой памятью сразу 260 10-минутных 4K-видео в формате UHD.
Скорости последовательного чтения и записи накопителя составляют 1000 МБ/с (почти вдвое превышает скорость чтения обычного 2,5-дюймового SSD) и 260 МБ/с соответственно. Производительность при случайном чтении и записи – 58 000 и 50 000 IOPS соответственно. Гаджет с такой картой памяти способен записывать видео со скоростью 960 кадров в секунду или 5 ГБ данных за 5 секунд.Первым смартфоном с чипом eUFS ёмкостью до 1 ТБ станет Galaxy S10 Plus.
Чип eUFS ёмкостью 1 ТБ имеет тот же размер (11,5×13 мм), что и версия на 512 ГБ, выпущенная в 2017 году. Чип сочетает в себе 16 стековых слоев 512-гигабитной флэш-памяти V-NAND с новым фирменным контроллером. Это позволит сохранить на смартфоне с такой памятью сразу 260 10-минутных 4K-видео в формате UHD.
Скорости последовательного чтения и записи накопителя составляют 1000 МБ/с (почти вдвое превышает скорость чтения обычного 2,5-дюймового SSD) и 260 МБ/с соответственно. Производительность при случайном чтении и записи – 58 000 и 50 000 IOPS соответственно. Гаджет с такой картой памяти способен записывать видео со скоростью 960 кадров в секунду или 5 ГБ данных за 5 секунд.Первым смартфоном с чипом eUFS ёмкостью до 1 ТБ станет Galaxy S10 Plus.
Комментарии (0)