Samsung представила стандарт памяти UFS 3.0, делающий смартфоны в 2 раза быстрей

Samsung, будучи лидером в производстве модулей памяти, сообщила когда может порадовать своими новыми достижениями в этой области. В Гонконге, на саммите Qualcomm 4G/5G, южнокорейский производитель поведал, что мобильные устройства с флеш-памятью формата UFS 3.0 выйдут на рынок уже в 2019 году.

ПЗУ UFS 3.0

Unified File Storage третьего поколения будет доступна в трех вариантах: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ. А вариант, объемом в 1 ТБ выйдет в 2021 году. Чипы UFS 3.0 будут производиться с использованием новейших технологий 3D-NAND от Samsung и позволят компании не только увеличить плотность хранилища в одном размере, но и сделает мобильные устройства в 2 раза быстрее.

ОЗУ LPDDR5

Ещё одним достижением Samsung, в производстве модулей памяти, станет оперативная память формата LPDDR5. Впервые Samsung показала формат LPDDR5 ещё в июле этого года, но решила в очередной раз напомнить о нём на саммите Qualcomm 4G/5G. По заверению производителя, максимальная пропускная способность ОЗУ нового формата составит 51,2 ГБ/с (в настоящее время около 25 ГБ/с). В то же время энергоэффективность возрастет на 20%. В массовое производство LPDDR5 будет запущена в 2020 году.