SK hynix начинает производство DRAM с использованием EUV-литографии

Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала массовое производство мобильной памяти DRAM LPDDR4 ёмкостью 8 ГБ на основе технологии 1a-нм, которая является четвертым поколением 10-нм техпроцесса. Новые чипы стабильно работают на скорости 4266 Мбит/с, что является самой высокой скоростью передачи в спецификации DRAM LPDDR4. Кроме того, энергопотребление этих чипов снижено на 20%, по сравнению с чипами предыдущего поколения 1z-нм. Это первые массовые чипы SK hynix с использованием EUV-литографии. Компания планирует начать поставку новейших чипов DRAM производителям смартфонов уже со второй половины 2021 года. SK hynix ожидает, что технология 1a-нм приведет к увеличению на 25% количества микросхем DRAM, производимых из пластины того же размера, что в свою очередь позволит снизить затраты на производство.