SK Hynix разрабатывает память HBM2E со скоростью до 460 ГБ/с
12 авг 2019 11:28
Южнокорейская компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой пропускной способностью на рынке. HBM2E обладает примерно на 50% большей пропускной способностью, чем стандарт...
Подробнее